- غير متوفر حالياً












قرص SSD سامسونج 990 EVO PCIe® 4.0 NVMe™ بسعة 1 تيرابايت – أداء استثنائي وسرعة فائقة لتحسين تجربة الألعاب والتطبيقات المتقدمة
سعة تخزين 1 تيرابايت:
يوفر قرص SSD سامسونج 990 EVO سعة تخزين 1 تيرابايت، مما يوفر مساحة كافية لتخزين البيانات الكبيرة، مثل الألعاب عالية الدقة، التطبيقات الثقيلة، الفيديوهات، والمستندات.
تقنية PCIe® 4.0 NVMe™:
يدعم القرص تقنية PCIe® 4.0 NVMe™، مما يوفر سرعات نقل بيانات تصل إلى 7,000 ميجابايت في الثانية، وهو ما يتيح تحميل التطبيقات والألعاب وتشغيلها بشكل أسرع مقارنة بالأقراص التقليدية.
أداء فائق:
يوفر أداء استثنائي، مما يساعد على تحسين تجربة الألعاب، تحرير الفيديو، واستخدام التطبيقات المتقدمة التي تتطلب تخزينًا عالي السرعة مثل الذكاء الاصطناعي والتصميم الجرافيكي.
تقنية V-NAND 3-bit MLC:
يعتمد قرص SSD سامسونج 990 EVO على تقنية V-NAND المتطورة، التي تضمن سرعة أعلى وعمر أطول للقرص مع توفير كفاءة أكبر في استهلاك الطاقة.
تحمل وموثوقية:
يتمتع القرص بعمر طويل بفضل تقنيات التحكم في الحرارة وحمايته ضد الأعطال، مما يضمن لك أداء مستمر ومستقر لفترات طويلة.
دعم تقنية DRAM Cache:
يتيح لك القرص الاستفادة من ذاكرة التخزين المؤقت DRAM لزيادة السرعة والكفاءة في نقل البيانات، مما يسهم في تقليل زمن الوصول وتحسين الأداء العام.
حماية البيانات والأمان:
يضمن لك القرص حماية بياناتك بفضل تقنيات التشفير AES 256-bit التي توفر أمانًا عاليًا لملفاتك الحساسة.
توافق واسع مع الأنظمة والأجهزة:
يدعم القرص أنظمة التشغيل مثل Windows وLinux، ويعمل مع اللوحات الأم التي تدعم PCIe® 4.0 وPCIe® 3.0، مما يضمن التوافق مع أجهزة الكمبيوتر المكتبية واللابتوب.
تحسين إدارة الطاقة:
يتمتع القرص بميزات إدارة الطاقة الذكية التي تساعد في تقليل استهلاك الطاقة، مما يحسن من كفاءة الجهاز ويطيل عمر البطارية في الأجهزة المحمولة.
التثبيت السهل:
يتميز القرص بتقنية Plug-and-Play، مما يعني أنك تستطيع تثبيته واستخدامه بسهولة دون الحاجة إلى برامج أو إعدادات معقدة.
| Brand | Samsung |
| Model | SAMSUNG 990 EVO |
| Form Factor | M.2 (2280) |
| Interface | PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0 |
| Capacity | 1TB |
| Performance | Sequential Read Up to 5,000 MB/s * Performance may vary based on system hardware & configuration Sequential Write Up to 4,200 MB/s * Performance may vary based on system hardware & configuration Random Read (4KB, QD32) Up to 680,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration Random Write (4KB, QD32) Up to 800,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration Random Read (4KB, QD1) Up to 20,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration Random Write (4KB, QD1) Up to 90,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration |
| Storage Memory | Samsung V-NAND TLC |
| Cache Memory | HMB(Host Memory Buffer) |
| Hard type | M.2 |
| Operating Temperature | 0 - 70 ℃ Operating Temperature |
| Dimension | 80 x 22 x 2.38 mm |
| Weight | Max 9.0g Weight |
| Warranty | 12 month |
البيانات
قد يعجبك ايضا
منتجات تم شراؤها من نفس العملاء: