Top Sellers

Top Sellers

أول شريحة تحكم PCIe 4.0x4 فى العالم - شريحة PS5016-E16 من شركة Phison - و التى تم تصنيعها بتقنية 28nm . عملية التصنيع المتطورة تضمن لشريحة PS5016-E16 قدرة الحوسبة اللازمة لمعالجة عمليات الذاكرة ECC و ذلك مع أحدث وحدات الذاكرة 3D TLC NAND flash . هذا و تتميز أيضاً شريحة PS5016-E16 بثمانى قنوات NAND مع 32CE و ذاكرة كاش DDR4 DRAM و واجهة PCIe 4.0x4 . و بالحديث عن الخصائص، فإن هذه الشريحة تدعم بروتوكول NVMe 1.3 و معامل تصحيح خطأ LDPC و تقنيات Wear Leveling, Over-Provision لتحسين جودة و قوة تحمل وحدات التخزين SSD .

GP ASM2NE6500GTTD
GIGABYTE
2,300.00 EGP
الكميَّة
not_interested غير متوفر حالياً

ابلغني حين يتوفر

·         حجم المنتج: M.2 2280

·         واجهة التوصيل :PCI-Express 4.0x4, NVMe 1.3

·         السعة التخزينية الكلية : 500GB*

·         سرعة القراءة المتتابعة : حتى 5000 MB/s**

·         سرعة الكتابة المتتابعة : حتى 2500 MB/s**

·         تقنيات Wear Leveling, Over-Provision

·         دعم TRIM & S.M.A.R.T

·         وحدة تبديد حرارى تغطى وحدة التخزين بأكملها

ذاكرة NAND Flash لأعلى جودة و أفضل أداء

شريحة BiCS4 3D TLC من شركة TOSHIBA ذات 96 طبقة و سرعة 800MT/s

تعمل شريحة BiCS4 NAND Flash من شركة Toshiba على تحسين تكامل الدوائر و تحسين معمارية البناء التصميمى و ذلك من خلال زيادة عدد الطبقات حتى 96 طبقة لتوفير مساحة تخزينية أعلى لكل وحدة مساحية. هذه القدرة العالية التى تصل إلى 800MT/s و التى تتميز بها وحدات التخزين AORUS NVMe Gen 4 SSD تفوق قدرة وحدات PCIe 3.0x4 لتقدم لك أداء تخزينى فائق.

أداء تخزينى فائق

من خلال شريحة تحكم PCIe 4.0 الجديدة تقدم وحدة تخزين AORUS NVMe Gen 4 SSD سرعات فائقة : حتى 5,000 MB/s لعمليات القراءة، و حتى2,500MB لعمليات الكتابة. هذا و تفوق سرعة عمليات القراءة لوحدات التخزين PCIe 4.0 SSD تلك السرعة المعتادة لوحدات التخزين PCIe 3.0 SSD و ذلك بنحو 40% زيادة. استعد لدخول عالم الجيل القادم من الحاسبات لتستمتع بألعاب و جرافيك أكثر سرعة و سلاسة.

وحدة تبديد حرارى نحاسية تغطى وحدة التخزين PCIe 4.0 SSD بأكملها لتتيح لها تقديم أداء غير مسبوق

وحدة تبديد حرارى نحاسية تغطى وحدة التخزين بأكملها بحيث تقوم بتبديد الحرارة من الأمام و من الخلف و بالتالى خفض حرارة شريحة التحكم و ذاكرة NAND Flash . وحدة التبديد الحرارى المصنوعة بالكامل من النحاس تتميز بقدرة أكبر على نقل الحرارة تصل إلى 69% زيادة بالمقارنة بوحدات التبديد الحرارى المصنوعة من الألمنيوم، و هو ما يجعل وحدات التخزين AORUS NVMe Gen4 SSD قادرة على توفير أفضل تبريد لعمليات القراءة و الكتابة الشاقة.

تصميم جديد أكثر كفاءة لوحدة تبديد حرارى نحاسية

بالمقارنة بوحدات التبديد الحرارى M.2 التقليدية، فسوف نجد أن وحدة التبديد الحرارى النحاسية الجديدة مزودة بعدد 27 شفرة تبريد و التى تزيد من مساحة سطح التبريد لمزيد من كفاءة نقل الحرارة و تشتيتها بعيداً عن المكونات الهامة. هذا بالإضافة إلى أن التصميم المتطور لمصفوفة شفرات التبريد يساعد على سهولة تبادل الحرارة و نقلها إلى تيارات الهواء المتدفقة من أى اتجاه. هذا التصميم المتكامل لوحدة التبديد الحرارى يضمنالحفاظ على درجة حرارة منخفضة لمكونات وحدة التخزين PCIe 4.0 SSD و ذلك مع أعلى سرعات لنقل البيانات.

GIGABYTEالماركه
AORUS NVMe Gen4 SSD 500GBالموديل
PCI-Express 4.0x4, NVMe 1.3واجهة التوصيل
M.2 2280تصميم و حجم المنتج
5‎00GBالسعة التخزينية
3‎D TLC Toshiba BiCS4شريحة NAND
DDR4 512MBذاكرة DDR كاش الخارجية
حتى 5000 MB/sسرعة القراءة المتتابعة
حتى 2500 MB/sسرعة الكتابة المتتابعة
حتى 400kسرعة القراءة العشوائية IOPS
حتى 550kسرعة الكتابة العشوائية IOPS
1.77 مليون ساعةعمر التشغيل قبل التعرض لآى عطل (MTBF)
متوسط : قراءة : 5.9 واط ، كتابة : 4.5 واطاستهلاك الطاقة (نشط)
1‎3.21 مللى واطاستهلاك الطاقة (خامل)
0‎ إلى 70 درجة مئويةدرجة الحرارة المناسبة (عند الاستخدام)
-40 إلى 85 درجة مئويةدرجة الحرارة المناسبة (عند التخزين)
8‎0.5 x 11.4 x 23.5 mmالأبعاد (عرض × ارتفاع × طول)
3سنواتالضمان

GP ASM2NE6500GTTD
ابلغني حين يتوفر

البيانات

العلامة التجارية
GIGABYTE
الموديل
AORUS NVMe Gen4 SSD 500GB
المنافذ
PCI-Express 4.0x4, NVMe 1.3
درجة حرارة التشغيل
0°C to 70°C
استهلاك الطاقة
Average: R : 5.9W; W : 4.5W
القدرة
500GB
Storage Temperature
-40°C to 85°C
Form factor
M.2 2280
Sequential Read
Up to 5000 MB/s
Sequential Write
Up to 2500 MB/s
Dimensions
80.5 x 11.4 x 23.5 mm
الضمان
3 year