الصفحة الرئيسية
New Product
Top Sellers
SSD GIGABYTE™ AORUS NVMe Gen4 SSD 500GB
أول شريحة تحكم PCIe 4.0x4 فى العالم - شريحة PS5016-E16 من شركة Phison - و التى تم تصنيعها بتقنية 28nm . عملية التصنيع المتطورة تضمن لشريحة PS5016-E16 قدرة الحوسبة اللازمة لمعالجة عمليات الذاكرة ECC و ذلك مع أحدث وحدات الذاكرة 3D TLC NAND flash . هذا و تتميز أيضاً شريحة PS5016-E16 بثمانى قنوات NAND مع 32CE و ذاكرة كاش DDR4 DRAM و واجهة PCIe 4.0x4 . و بالحديث عن الخصائص، فإن هذه الشريحة تدعم بروتوكول NVMe 1.3 و معامل تصحيح خطأ LDPC و تقنيات Wear Leveling, Over-Provision لتحسين جودة و قوة تحمل وحدات التخزين SSD .
· حجم المنتج: M.2 2280
· واجهة التوصيل :PCI-Express 4.0x4, NVMe 1.3
· السعة التخزينية الكلية : 500GB*
· سرعة القراءة المتتابعة : حتى 5000 MB/s**
· سرعة الكتابة المتتابعة : حتى 2500 MB/s**
· تقنيات Wear Leveling, Over-Provision
· دعم TRIM & S.M.A.R.T
· وحدة تبديد حرارى تغطى وحدة التخزين بأكملها
ذاكرة NAND Flash لأعلى جودة و أفضل أداء
شريحة BiCS4 3D TLC من شركة TOSHIBA ذات 96 طبقة و سرعة 800MT/s
تعمل شريحة BiCS4 NAND Flash من شركة Toshiba على تحسين تكامل الدوائر و تحسين معمارية البناء التصميمى و ذلك من خلال زيادة عدد الطبقات حتى 96 طبقة لتوفير مساحة تخزينية أعلى لكل وحدة مساحية. هذه القدرة العالية التى تصل إلى 800MT/s و التى تتميز بها وحدات التخزين AORUS NVMe Gen 4 SSD تفوق قدرة وحدات PCIe 3.0x4 لتقدم لك أداء تخزينى فائق.
أداء تخزينى فائق
من خلال شريحة تحكم PCIe 4.0 الجديدة تقدم وحدة تخزين AORUS NVMe Gen 4 SSD سرعات فائقة : حتى 5,000 MB/s لعمليات القراءة، و حتى2,500MB لعمليات الكتابة. هذا و تفوق سرعة عمليات القراءة لوحدات التخزين PCIe 4.0 SSD تلك السرعة المعتادة لوحدات التخزين PCIe 3.0 SSD و ذلك بنحو 40% زيادة. استعد لدخول عالم الجيل القادم من الحاسبات لتستمتع بألعاب و جرافيك أكثر سرعة و سلاسة.
وحدة تبديد حرارى نحاسية تغطى وحدة التخزين PCIe 4.0 SSD بأكملها لتتيح لها تقديم أداء غير مسبوق
وحدة تبديد حرارى نحاسية تغطى وحدة التخزين بأكملها بحيث تقوم بتبديد الحرارة من الأمام و من الخلف و بالتالى خفض حرارة شريحة التحكم و ذاكرة NAND Flash . وحدة التبديد الحرارى المصنوعة بالكامل من النحاس تتميز بقدرة أكبر على نقل الحرارة تصل إلى 69% زيادة بالمقارنة بوحدات التبديد الحرارى المصنوعة من الألمنيوم، و هو ما يجعل وحدات التخزين AORUS NVMe Gen4 SSD قادرة على توفير أفضل تبريد لعمليات القراءة و الكتابة الشاقة.
تصميم جديد أكثر كفاءة لوحدة تبديد حرارى نحاسية
بالمقارنة بوحدات التبديد الحرارى M.2 التقليدية، فسوف نجد أن وحدة التبديد الحرارى النحاسية الجديدة مزودة بعدد 27 شفرة تبريد و التى تزيد من مساحة سطح التبريد لمزيد من كفاءة نقل الحرارة و تشتيتها بعيداً عن المكونات الهامة. هذا بالإضافة إلى أن التصميم المتطور لمصفوفة شفرات التبريد يساعد على سهولة تبادل الحرارة و نقلها إلى تيارات الهواء المتدفقة من أى اتجاه. هذا التصميم المتكامل لوحدة التبديد الحرارى يضمنالحفاظ على درجة حرارة منخفضة لمكونات وحدة التخزين PCIe 4.0 SSD و ذلك مع أعلى سرعات لنقل البيانات.
GIGABYTE | الماركه |
AORUS NVMe Gen4 SSD 500GB | الموديل |
PCI-Express 4.0x4, NVMe 1.3 | واجهة التوصيل |
M.2 2280 | تصميم و حجم المنتج |
500GB | السعة التخزينية |
3D TLC Toshiba BiCS4 | شريحة NAND |
DDR4 512MB | ذاكرة DDR كاش الخارجية |
حتى 5000 MB/s | سرعة القراءة المتتابعة |
حتى 2500 MB/s | سرعة الكتابة المتتابعة |
حتى 400k | سرعة القراءة العشوائية IOPS |
حتى 550k | سرعة الكتابة العشوائية IOPS |
1.77 مليون ساعة | عمر التشغيل قبل التعرض لآى عطل (MTBF) |
متوسط : قراءة : 5.9 واط ، كتابة : 4.5 واط | استهلاك الطاقة (نشط) |
13.21 مللى واط | استهلاك الطاقة (خامل) |
0 إلى 70 درجة مئوية | درجة الحرارة المناسبة (عند الاستخدام) |
-40 إلى 85 درجة مئوية | درجة الحرارة المناسبة (عند التخزين) |
80.5 x 11.4 x 23.5 mm | الأبعاد (عرض × ارتفاع × طول) |
3سنوات | الضمان |
البيانات
- العلامة التجارية
- GIGABYTE
- الموديل
- AORUS NVMe Gen4 SSD 500GB
- المنافذ
- PCI-Express 4.0x4, NVMe 1.3
- درجة حرارة التشغيل
- 0°C to 70°C
- استهلاك الطاقة
- Average: R : 5.9W; W : 4.5W
- القدرة
- 500GB
- Storage Temperature
- -40°C to 85°C
- Form factor
- M.2 2280
- Sequential Read
- Up to 5000 MB/s
- Sequential Write
- Up to 2500 MB/s
- Dimensions
- 80.5 x 11.4 x 23.5 mm
- الضمان
- 3 year